Sadece Litres-də oxuyun

Kitab fayl olaraq yüklənə bilməz, yalnız mobil tətbiq və ya onlayn olaraq veb saytımızda oxuna bilər.

mətn
PDF

Həcm 98 səhifələri

2024 il

0+

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография.

Sadece Litres-də oxuyun

Kitab fayl olaraq yüklənə bilməz, yalnız mobil tətbiq və ya onlayn olaraq veb saytımızda oxuna bilər.

15,81 ₼
10% endirim hədiyyə edin
Bu kitabı tövsiyə edin və dostunuzun alışından 1,59 ₼ əldə edin.

Kitab haqqında

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородногораспределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационногоалгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.Монография подготовлена в Южном федеральном университете.Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Janr və etiketlər

Rəy bildirmək

Giriş, kitabı qiymətləndirmək və rəy bildirmək

Kitabın təsviri

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного

распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,

учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного

алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.

Монография подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Kitab Андрея Александровича Бычкова «Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография.» — saytda onlayn oxuyun. Şərh və rəylərinizi qeyd edin, sevimlilərinizi seçin.
Yaş həddi:
0+
Litresdə buraxılış tarixi:
19 noyabr 2023
Yazılma tarixi:
2024
Həcm:
98 səh.
ISBN:
9785466051582
Ümumi ölçü:
5.8 МБ
Səhifələrin ümumi sayı:
98
Müəllif hüququ sahibi:
КноРус

Bu kitabla oxuyurlar