10% endirim hədiyyə edin
Bu kitabı tövsiyə edin və dostunuzun alışından 0,45 ₼ əldə edin.
mətnPDF
Həcm 48 səhifələri
2001 il
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
4,40 ₼
Kitab haqqında
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
Janr və etiketlər
Rəy bildirmək
Giriş, kitabı qiymətləndirmək və rəy bildirmək
Kitab В. Н. Мурашева, Евгения Ладыгина və s. «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет» — saytda onlayn oxuyun. Şərh və rəylərinizi qeyd edin, sevimlilərinizi seçin.
Yaş həddi:
0+Litresdə buraxılış tarixi:
28 mart 2018Yazılma tarixi:
2001Həcm:
48 səh. Ümumi ölçü:
502 КБSəhifələrin ümumi sayı:
48Müəllif hüququ sahibi:
МИСиС
