10% endirim hədiyyə edin
Bu kitabı tövsiyə edin və dostunuzun alışından 40,19 ₼ əldə edin.
Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Mətn PDF
Həcm 648 səhifələri
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
müəllif
Vinod Khanna Kumar
401,88 ₼
Kitab haqqında
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Janr və etiketlər
Daxil olun, kitabı qiymətləndirmək və rəy bildirmək üçün
Kitab «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» — saytda onlayn oxuyun. Şərh və rəylərinizi qeyd edin, sevimlilərinizi seçin.
Yaş həddi:
0+Litresdə buraxılış tarixi:
20 avqust 2019Həcm:
648 səh. ISBN:
9780471660996Ümumi ölçü:
33 МБSəhifələrin ümumi sayı:
648Müəllif hüququ sahibi:
John Wiley & Sons Limited
