Основной контент книги Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Mətn PDF
Həcm 79 səhifələri
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
2,32 ₼
10% endirim hədiyyə edin
Bu kitabı tövsiyə edin və dostunuzun alışından 0,24 ₼ əldə edin.
Kitab haqqında
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Janr və etiketlər
Daxil olun, kitabı qiymətləndirmək və rəy bildirmək üçün
Kitab Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — saytda onlayn oxuyun. Şərh və rəylərinizi qeyd edin, sevimlilərinizi seçin.
Yaş həddi:
0+Litresdə buraxılış tarixi:
24 aprel 2018Həcm:
79 səh. ISBN:
978-5-7782-1618-1Ümumi ölçü:
2.2 МБSəhifələrin ümumi sayı:
79Müəllif hüququ sahibi:
Новосибирский государственный технический университет