10% endirim hədiyyə edin
Bu kitabı tövsiyə edin və dostunuzun alışından 34,32 ₼ əldə edin.
mətnPDF
Həcm 399 səhifələri
Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1
Low-Dimensionality Effects and Growth
343,17 ₼
Kitab haqqında
GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. This book starts by presenting the similarities and differences between GaN and ZnO materials, as well as the assets and current limitations of nanowires for their use in optical devices, including feasibility and perspectives. It then focuses on the nucleation and growth mechanismsof ZnO and GaN nanowires, grown by various chemical and physical methods. Finally, it describes the formation of nanowire heterostructures applied to optical devices.
Janr və etiketlər
Rəy bildirmək
Giriş, kitabı qiymətləndirmək və rəy bildirmək
Kitabın təsviri
GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. This book starts by presenting the similarities and differences between GaN and ZnO materials, as well as the assets and current limitations of nanowires for their use in optical devices, including feasibility and perspectives. It then focuses on the nucleation and growth mechanismsof ZnO and GaN nanowires, grown by various chemical and physical methods. Finally, it describes the formation of nanowire heterostructures applied to optical devices.
Kitab «Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1» — saytda onlayn oxuyun. Şərh və rəylərinizi qeyd edin, sevimlilərinizi seçin.
Yaş həddi:
0+Litresdə buraxılış tarixi:
04 iyul 2018Həcm:
399 səh. ISBN:
9781118984314Ümumi ölçü:
23 МБSəhifələrin ümumi sayı:
399Redaktor:
Naşir:
Müəllif hüququ sahibi:
John Wiley & Sons Limited
